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月博科技国产比较器常见的输出架构

2021-06-29
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比较器是用来判断同相端和反相端信号电压大小的芯片，通常一个输入端接被比较的信号；另一个输入端接基准电压，确定门限电压(或称阀值)。输出通常有且仅有两种状态，即高电平和低电平，常应用于模－数转换、波形产生及变换、超限报警等。

比较器有开漏输出（包括PFET和NFET架构）和推挽输出两种方式。本文以图文的形式对这两种输出方式做一分析。

1.开漏输出（Open Drain Output）

开漏输出的比较器又分为NFET架构（图1）和PFET架构（图2），由内部的MOSFET决定。NEFT架构输出端需要加上拉电阻才能输出高电平，PFET架构需要加下拉电阻才能输出低电平。

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图1  NFET架构

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图2  PFET架构

2.推挽输出（Push-Pull Output）

推挽输出结构是由PMOS+NMOS或者三极管受到互补控制的信号控制，两个管子始终一个在导通，一个在截止。

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表1 推挽输出vs开漏输出（以NFET架构为例）

推挽输出：可以输出高电平，低电平，连接数字器件；对于各种电压节点间的电平转换非常有用。可以将多个开漏输出的输出脚，连接到一条线上，形成“与逻辑”关系，即“线与”功能；任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。

NFET开漏输出：输出端相当于三极管的集电极，要得到高电平状态需要上拉电阻才行，适合于做电流的驱动。通常一条总线上只能有一个push-pull输出的器件；优点速度快。

月博科技作为国内领先的模拟半导体厂商，比较器主要以低功耗著称，常用型号如下：

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